而三星电子虽也筹划过 1000 层 NAND 路线，但最终选择更稳健之计策。
根据日媒 PC Watch 之说法，铠侠预计到 2027 年，NAND 闪存密度有望达到 100 Gbit / mm²，同时实现 1000 字线 3D NAND。
据报道，闪迪与铠侠已提前展示之 MSA-CBA（IT之家注：多层堆叠单元阵列-CMOS 键合）器件架构图，还带有两块 218 字线阵列晶圆形成之堆叠单元阵列之 FIB-SEM 图像。
值得注意之为，铠侠早于 2024 年就提出之 1000 层 3D NAND 路线图。
逆水行舟。该公司曾于旧金山国际固态电路大会（ISSCC）展示 multi-BV NAND 概念，通过将两块晶圆堆叠于两块外围晶圆上，实现 1000 层扩展，整体思路与铠侠之预案高度相似。
IT之家 5 月 4 日消息，据 TrendForce 今日报道，铠侠、闪迪将于 6 月 14-18 日参加 VLSI Symposium 研讨会，届时将齐步展出多层堆叠单元架构 QLC NAND 闪存，向突围 1000 层 3D NAND 迈进。
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